6月11日,纵慧芯光宣布其位于常州的FabX项目顺利实现通线,标志着该项目在历经一年厂房设计、建设与设备调试之后,成功攻克产品外延结构设计、Fab工艺开发等多项关键技术难题,正式迈入量产筹备阶段。
作为公司迄今为止最重要的战略项目之一,FabX的落地将显著提升纵慧芯光在全球高速光芯片市场的综合竞争力。
据悉,FabX项目总投资达5.5亿元人民币,规划建设一条年产能可达5000万颗芯片的3英寸化合物半导体光芯片生产线,同时配套建设先进的研发中心与测试中心。项目占地面积约2.8万平方米,预计于2025年全面投产,投产后将具备大规模制造砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)激光芯片的能力,为AI数据中心、车载激光雷达、光通信等高速应用场景提供核心支持。
在AI算力爆发式增长和光通信技术加速演进的双重驱动下,市场对高性能、高速率、高可靠性的光芯片需求不断攀升。FabX项目的建成通线,不仅将补足国内在高速VCSEL(垂直腔面发射激光器)激光芯片产能方面的短板,也为纵慧芯光进一步扩大其在全球市场的话语权打下坚实基础。
自2015年由多位斯坦福大学博士联合创立以来,纵慧芯光始终专注于光芯片的设计、研发与量产。公司总部位于江苏常州,并在美国硅谷、圣何塞、韩国、中国台湾、上海、深圳、新加坡等地设有分支机构,建立起覆盖全球的运营网络。依托强大的技术积累和国际化团队,公司已发展成为全球VCSEL芯片市场的领军企业。
据悉,在消费电子领域,纵慧芯光市场份额位居国内第一、全球前列;在汽车电子领域,其核心VCSEL产品已实现前装量产,全球市场份额稳居第二,广泛服务于多家国际一线激光雷达厂商、Tier 1供应商及主机厂,联合推进多款半固态与纯固态激光雷达解决方案。
公司在技术创新方面亦持续取得突破,其自研的AR-VCSEL产品以近衍射极限发射角打破传统一维VCSEL结构的限制,显著提升激光性能与系统效率,赋能下一代3D感知与高速通信应用。
在平台建设上,纵慧芯光已构建起涵盖外延生长、芯片设计、制造工艺、封装测试及可靠性验证的完整研发体系,设有外延封测中心、设计中心和产品中心三大技术平台,为新产品开发与大规模量产提供坚实支撑。
在资本层面,纵慧芯光同样表现强劲,成立以来持续获得哈勃、小米、比亚迪、大疆创新、禾赛科技、速腾聚创等头部产业资本青睐,C4轮融资规模达数亿元,为其快速扩产和全球布局提供了有力保障。
FabX项目的通线,标志着纵慧芯光正式步入高速光芯片自主可控和规模化制造的新时代,也预示着国内光芯片产业链在高端制造领域的又一次跃升。