OFweek光通讯网2月5日消息，Molex近日宣布其子公司Polymicro Technologies成功地开发出一款使用低氢氧基(Low-OH)纯矽土内芯的大光谱光纤，该光纤具有显着减少的紫外线(UV)缺陷和其它UV吸收中心点含量。Polymicro的专有FBPI光纤利用标准光纤的优势并减少其限制。以矽土为基础的宽频FBPI光纤在明显增大的光谱范围具有改进的传输特性，提供一系列密度选择，能够制造50-600微米(μm)内芯直径光纤。
Polymicro Technologies业务发展经理Robert Dauphinais表示，本次新推出的大光谱FBPI光纤经过最佳化，可用于全景光谱仪和感测器分析。FBFI光纤提供出色的性能，并结合耐辐射和耐曝晒性能，防止辐射和曝晒导致光纤性能退化和缩短产品寿命。
在超过2100纳米(nm)的近红外线(NIR)波长区域，Polymicro FBPI光纤的衰减等同于具有低氢氧基矽土内芯和加氟表层的标准NIR光纤，其抗曝晒性能可媲美具有高耐辐射性的标准UV优化高氢氧基光纤，并且具有低至200纳米的UV传输性能。
来源：OFweek光通讯网 编译：Never