pSemi推出完整的5G毫米波RFFE解决方案

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专注于半导体集成的供应商pSemi Corporation宣布,将扩展其用于5G无线基础设施应用的毫米波(mmWave) RF前端产品组合。这款新的pin-to-pin兼容产品,包括3个波束形成IC和2个上下转换器,提供了在n257、n258和n260频段实现全IF-to-RF覆盖的ic交换的灵活性。

这种模块化方法,结合片上校准和数字校正之后,让系统团队可以简化其设计周期,并快速适应不同的有源天线设计配置。

它可以作为分立RFICs或Murata 28 GHz天线集成模块的一部分,这种多样化的产品组合能够以最小的IC形式提供优异性能、集成和可靠性。

pSemi推出完整的5G毫米波RFFE解决方案

图片来源:pSemi Corporation官网

pSemi这款5G毫米波RF前端(RFFE)解决方案拥有以下特点与优势:

全频谱覆盖——n257 (PE188200)、n258 (PE188100)和n260 (PE189100)频段支持和pin-to-pin兼容

灵活的天线设计——8个独立可控的射频通道,支持4个双极化或8个单极天线元件

波束形成精度——在期望的EVM具有低均方根相位和振幅误差的线性POUT,以增加阵列增益和天线的方向性

低噪音系统设计——最佳的I/Q平衡调整和最小的LO泄漏,从而提高EVM性能

低功耗——行业领先的低功耗,实现更高效的系统热管理

精确的LTCC基板包装——优异的耐热和防潮性能,稳定的性能和热管理,包括在恶劣的环境中

空中制造(OTA)测试——通过空中制造测试验证性能,简化开发过程

双通道上下变频器RFIC——每个PE128300和PE129100 RFIC集成了倍频器,正交混频器,放大器和开关到一个单一的模,可以与多达16 pSemi波束形成RFIC配对,或128个总波束形成通道,以支持大规模mimo,混合波束形成和其他有源天线配置。

mmWave将首先在人口密集的城市地区实现主流部署,这些地区受益于智能中继器、室内基站和其他小蜂窝应用支持的短程覆盖。随着网络容量需求的增加,以及波束形成和有源天线系统的普及,SOI-CMOS技术已成为先进5G系统首选的mmWave平台,这为SOI-CMOS技术打开了新的大门。

pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示:“pSemi自2015年以来一直提供mmWave产品,深化了我们在高频RF SOI设计方面的专业知识和专利组合。这段历史与母公司murata的先进封装和全球制造实力相结合,使我们能够支持更高级别的集成,以简化5G毫米波的开发和部署。”

关于pSemi Corporation

pSemi公司是日本村田(Murata)旗下的一家半导体集成驱动公司。pSemi建立在Peregrine半导体30年的技术进步和强大的IP组合的传统上,但有一个新的使命:通过高性能射频、模拟和混合信号解决方案,增强Murata的世界级能力。凭借射频集成的强大基础,pSemi的产品组合现在涵盖了电源管理、连接传感器、天线调谐和射频前端。这些智能和高效的半导体为智能手机、基站、个人电脑、电动汽车、数据中心、物联网设备和医疗保健提供先进模块。pSemi的总部位于圣地亚哥,团队正在探索为互联世界制造更小、更薄、更快、更好的电子产品的新方法。


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