专注于半导体集成的供应商pSemi Corporation宣布，将扩展其用于5G无线基础设施应用的毫米波(mmWave) RF前端产品组合。这款新的pin-to-pin兼容产品，包括3个波束形成IC和2个上下转换器，提供了在n257、n258和n260频段实现全IF-to-RF覆盖的ic交换的灵活性。
这种模块化方法，结合片上校准和数字校正之后，让系统团队可以简化其设计周期，并快速适应不同的有源天线设计配置。
它可以作为分立RFICs或Murata 28 GHz天线集成模块的一部分，这种多样化的产品组合能够以最小的IC形式提供优异性能、集成和可靠性。
图片来源：pSemi Corporation官网
pSemi这款5G毫米波RF前端(RFFE)解决方案拥有以下特点与优势：
全频谱覆盖——n257 (PE188200)、n258 (PE188100)和n260 (PE189100)频段支持和pin-to-pin兼容
灵活的天线设计——8个独立可控的射频通道，支持4个双极化或8个单极天线元件
波束形成精度——在期望的EVM具有低均方根相位和振幅误差的线性POUT，以增加阵列增益和天线的方向性
低噪音系统设计——最佳的I/Q平衡调整和最小的LO泄漏，从而提高EVM性能
低功耗——行业领先的低功耗，实现更高效的系统热管理
精确的LTCC基板包装——优异的耐热和防潮性能，稳定的性能和热管理，包括在恶劣的环境中
空中制造(OTA)测试——通过空中制造测试验证性能，简化开发过程
双通道上下变频器RFIC——每个PE128300和PE129100 RFIC集成了倍频器，正交混频器，放大器和开关到一个单一的模，可以与多达16 pSemi波束形成RFIC配对，或128个总波束形成通道，以支持大规模mimo，混合波束形成和其他有源天线配置。
mmWave将首先在人口密集的城市地区实现主流部署，这些地区受益于智能中继器、室内基站和其他小蜂窝应用支持的短程覆盖。随着网络容量需求的增加，以及波束形成和有源天线系统的普及，SOI-CMOS技术已成为先进5G系统首选的mmWave平台，这为SOI-CMOS技术打开了新的大门。
pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示：“pSemi自2015年以来一直提供mmWave产品，深化了我们在高频RF SOI设计方面的专业知识和专利组合。这段历史与母公司murata的先进封装和全球制造实力相结合，使我们能够支持更高级别的集成，以简化5G毫米波的开发和部署。”
关于pSemi Corporation
pSemi公司是日本村田(Murata)旗下的一家半导体集成驱动公司。pSemi建立在Peregrine半导体30年的技术进步和强大的IP组合的传统上，但有一个新的使命：通过高性能射频、模拟和混合信号解决方案，增强Murata的世界级能力。凭借射频集成的强大基础，pSemi的产品组合现在涵盖了电源管理、连接传感器、天线调谐和射频前端。这些智能和高效的半导体为智能手机、基站、个人电脑、电动汽车、数据中心、物联网设备和医疗保健提供先进模块。pSemi的总部位于圣地亚哥，团队正在探索为互联世界制造更小、更薄、更快、更好的电子产品的新方法。
