10月22日消息，一家俄罗斯研究所正在开发自己的半导体光刻设备，该设备可以被用于7nm制程芯片的制造。该研究院称自行研发的光刻机将于2028年问世，目前该设备正在开发中。
并且，这家俄罗斯研究院表示，当这台光刻机准备好时，它可能会比ASML的Twinscan NXT：2000i工具更高效，后者的开发时间超过了十年。
对于处在设备短缺状态下的俄罗斯来说，此消息难免有点说大话的意思。据报道，国际制裁对俄罗斯断供后，造成俄国芯片短缺，加以美国、英国和欧盟也祭出多项制裁，几乎所有拥有先进晶圆制造商都停止与俄罗斯实体合作，ARM也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。
根据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构的一份公文显示，该计划将在6年内分为三个阶段实现：
第一阶段：首先要在2024年开发一台alpha机器，验证系统的全面可靠性。这一阶段的重点不在于其工作或解决的高速性，而在于所有系统的全面性。
第二阶段：到了2026年，将利用Beta版本取代alpha技术，届时所有系统都将得到改进和优化，同时分辨率也将得到提升，生产力也将随之提高，许多操作都将实现机械自动化。这一阶段的重点是，要将其集成到实际的技术流程中，并通过“拉起”适合其他生产阶段的设备对其进行调试。
第三阶段：到了2028年，将完成所有准备工作，并实现原型机生产，届时将为光刻机带来更强的光源、改进的定位和馈送系统，并使得这套光刻系统能够快速准确地工作。
值得一提的是，ASML花了大约9年的时间才在2018年交付其支持7nm和5nm制造的 Twinscan NXT：2000i DUV工具。台积电在其第一代N7制造技术中使用了具有多重图案的工具。从ASML的产品发展历程来看，从65nm过渡到7nm用了14年的时间。
有相关专业人士表示，俄罗斯的想法似乎太过天真，俄罗斯想在6年内研发出可支持7nm芯片的光刻机可行性不高，且晶圆厂并非光靠光刻机就可生产出芯片，还需要许多设备，而俄罗斯并不生产这些设备。
俄罗斯科学院微结构物理研究所副所长Nikolai Chkhalo表示：“全球光刻技术领导者 ASML近20年来一直在开发其EUV光刻系统，并且该技术已经证明是非常复杂的。”为科学技术发展。“在这种情况下，ASML的主要目标是保持世界上最大的工厂才需要的极高生产力。在俄罗斯，没有人需要如此高的生产力。在我们的工作中，我们从国内面临的需求和任务出发。微电子学——这不是数量，而是质量。首先，我们需要过渡到我们自己的制造工艺，制定自己的设计标准，我们自己的工具、工程、材料，所以我们走自己的道路在这里是不可避免的。
由此可见，究竟是俄罗斯方面大放豪言还是另有一番作为需要我们后续持续关注！
