3月22－23日，受工信部委托，工信部产业发展促进中心在武汉组织召开国家级制造业创新中心“能力建设项目”验收会议，专家组一致同意国家信息光电子、数字化设计与制造创新中心能力建设项目通过验收。
其中，国家信息光电子创新中心总投资超过5．4亿元，项目完成了建设方案所列各项建设任务，达到了项目实施目标和考核指标，标志着创新中心能力平台建设全面完成，成为我国光电子器件芯片自主研发的重要工艺平台，在支撑我国通信系统核心器件自主可控方面发挥了重要作用。
据了解，在平台建设方面，项目完成了III－V族高端光电器件芯片工艺平台、硅光集成芯片工艺平台、芯片测试及器件封装工艺平台的平台建设，形成了高端光电子芯片技术的研发能力及覆盖光电子芯片设计仿真、PDK开发、工艺流片、光电子封装、测试筛检和特性评价的完整中试能力，是支撑我国光电子器件芯片自主研发的重要工艺平台。
在关键共性技术研发方面，项目突破超高速光器件、光电协同、高频高密度光电封装、先进传输和控制算法四大关键技术，掌握了InP和硅光两大光子集成平台的多功能单片集成技术，开发了光域合成新型PAM4光信号发射芯片架构，研制出80GHz光电探测器和超110GHz电光调制器芯片技术，掌握并突破了高频高密度光电封装工艺。研发的高速率电光调制器技术取得重大进展，在国内率先完成了Pb／s级超大容量光传输系统实验。
在产业化应用方面，项目开展了一系列关键光子集成芯片和器件产品的攻关。完成国内首款商用100Gb／s硅光芯片及400Gb／s光模块的正式投产及规模应用，多款商用芯片取得产业化突破，在光传感、光量子、光测量等领域研制出一批特种光电芯片和器件产品，填补国内空白。在支撑我国通信系统核心器件自主可控方面发挥了重要作用。
在知识产权方面，项目期内累计申请发明专利152项，其中PCT专利5项；中国发明专利147项，参与制定国家标准1项，牵头行业标准和课题6项，参与制订行业标准26项，累计发表学术论文88篇。在超高速光芯片、先进封装、量子信息、测试测量等方面获得标准话语权。