韩媒报道指美国已同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需再取得其它许可，这意味着这两家芯片企业在中国的工厂可以随意采购荷兰和美国的芯片设备，无需再担忧将设备运到中国的工厂受到限制。
去年美国收紧了对中国出口芯片设备的限制，不仅中国本土的芯片企业进口设备受到限制，连在中国设厂的外资芯片企业进口芯片设备也受到限制，这对全球芯片行业产生了重要影响。
不过在韩国和美国的磋商下，美国后来又给予三星和SK海力士特殊的出口管制豁免，允许这两家芯片企业采购荷兰和美国的先进芯片设备可以运到它们在中国的工厂，但是期限只有一年。
如今一年期限即将到期，9月份韩国就已与美国商谈新的出口豁免条件，如今美国给予三星和SK海力士两家芯片企业无限期豁免，这两家芯片企业在中国的工厂采购芯片设备不会受到任何限制，而且没有时间限制。
发生如此变化，可能在于中国芯片行业取得的进展。近期一家中国手机企业发布了一款国产化的5G手机，据称该款手机的九成芯片都采用了国产芯片，包括此前备受关注的5G射频芯片，这意味着中国的芯片产业链已得到大幅完善。
与上述的三星和SK海力士占据优势的存储芯片，恰恰是中国芯片取得重要突破的芯片行业，中国两家存储芯片在2022年实现二期工程的量产，存储芯片产能增加两倍，存储芯片技术达到232层，居于全球领先水平，自然也是国产5G手机实现国产化的关键。
如此一来美国限制中国进口先进芯片设备已失去了大部分的意义，其实在美国给予三星和SK海力士豁免之前，被美国拉拢的ASML更早向中国释放了善意，在该款国产5G手机发布几天后，ASML就表示可以对中国出售可用于7纳米工艺的2000i光刻机。
业界人士认为美国此时给予三星和SK海力士无限期豁免，或许有借它们之手打压中国芯片行业的意味，因为三星和SK海力士占有七成DRAM市场份额，NAND flash市场则占有五成的市场份额，此时放他们出笼可以趁机打压中国存储芯片。
据了解在美国限制对中国芯片行业供应先进芯片设备近一年之后，三星、SK海力士、美光等都已突破300层NAND flash，再度取得对中国存储芯片的技术领先优势，而更先进的存储芯片技术可以降低存储芯片成本，而它们在中国的工厂可以利用中国的低成本优势，进而通过价格战压制中国的存储芯片企业。
不过美国的图谋恐怕难以如愿，此前它采取更强硬的芯片出口限制措施，中国芯片行业都能打破空白，如今中国的芯片产业链已进一步完善，中国的存储芯片将可望获得再度加速发展的动力，毕竟存储芯片只是采用了10纳米以上的工艺，对先进芯片设备的要求不高，国产5G手机的量产代表着中国芯片产业链已能解决10纳米以上的芯片设备，国产存储芯片有足够的底气对抗三星和SK海力士。
原文标题 : 美国突然改口，不再限制先进设备进入中国，或与国产5G手机有关
