近日，薄膜铌酸锂调制器芯片设计研发商江苏铌奥光电科技有限公司完成数亿元A轮融资。
本轮融资由基石资本领投，毅达资本、合创资本跟投，现有投资方立达资本、晨峰晖创资本、南京市创投继续追加投资。本次融资将助力铌奥光电加速薄膜铌酸锂光电子芯片产线的建设和量产进程，于2023年建成国内首条规模量产的薄膜铌酸锂光电子芯片产线。
公开资料显示，铌奥光电成立于2020年7月，核心团队成员包括多名海归科研工作者和业界资深专家，团队在薄膜铌酸锂调制器芯片领域拥有全球领先的研究成果和多年芯片制造运营的成熟经验。
铌奥光电专注于从事薄膜铌酸锂调制器芯片及器件的研发、设计、制造等，致力于成为高速调制器光电子芯片领域的领军企业。产品已涵盖光通信、微波光子和光学传感三大业务领域，并形成了数据中心、电信中长距、相干等产品方向的解决方案，当前均已进入客户送样测试及小批量销售阶段。
铌酸锂（LiNbO3）在业内被称之“光学硅”。除了拥有良好的物理化学稳定性、较宽的光学透明窗口（0．4μm～5μm）、较大的电光系数（γ33＝27 pm／V）等天然优势外，铌酸锂还是一种原材料来源丰富、价格低廉的晶体，被广泛的应用于高性能滤波器、电光器件、全息存储、3D全息显示、非线性光学器件、光量子通信等方面。在光通信领域，铌酸锂主要起起着光调制作用，已成为当前高速电光调制器市场的主流产品。
当下，行业内光调制的技术主要有三种：基于硅光、磷化铟和铌酸锂材料平台的电光调制器。硅光调制器主要是应用在短程的数据通信用收发模块中，磷化铟调制器主要用在中距和长距光通信网络收发模块，而铌酸锂电光调制器则主要用在100Gbps以上的长距骨干网相干通讯和单波100／200Gbps的超高速数据中心中，在上述三种超高速调制器材料平台中，近几年出现的薄膜铌酸锂调制器具备了其它材料无法比拟的带宽优势。
而铌奥光电开发的薄膜铌酸锂调制器芯片目前已可实现超低驱动电压（Vπ＜1V）和超大带宽（最新记录260Gbaud），功耗较硅光调制器等解决方案显著降低，在800G及以上速率的模块应用中具有显著优势，单波200G以上的传输能力使得Pluggable1．6T（单波200G）／3．2T（单波400G）光模块成为可能。
此轮融资领投的基石资本方面认为，铌奥光电拥有业内领先的科学家团队，产业经验丰富的运营团队。通过强强联合，串联产业链上下游，铌奥光电将于2023年建成 “晶圆进、芯片出”的完整6英寸薄膜铌酸锂光电子芯片产线，发挥中国在薄膜铌酸锂领域的产业链优势，引领后摩尔时代薄膜铌酸锂的产业化进程。