近日，国内光电芯片领域迎来重要进展——江苏铌奥光电科技有限公司（简称“铌奥光电”）宣布完成近亿元A+轮融资，由金浦智能领投，广州产投、万联广生及老股东跟投。
作为全球少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业，铌奥光电此次融资将重点投向薄膜铌酸锂芯片的量产深化及智算光互联、激光雷达等前沿场景的技术布局。此轮融资，将进一步巩固铌奥光电在薄膜铌酸锂光芯片领域的全球领先地位。
公司自2020年成立以来，凭借创始团队在光电子领域的技术积淀，成功开发出带宽超110GHz、驱动电压低于1V的微型化薄膜铌酸锂调制器，并构建了自主可控的设计、制造与封装平台，产品已覆盖数据中心、自动驾驶等高增长市场。
这一进展不仅标志着国产高端光芯片的突破，更折射出中国厂商在全球薄膜铌酸锂赛道上的加速崛起。
当前，全球薄膜铌酸锂调制器市场呈现“三极竞争”格局：美国企业Lumentum、Coherent凭借先发量产优势，深度绑定谷歌、Meta等数据中心巨头，占据全球相当大一部分的高端市场份额；日本住友电工、富士通则依托高可靠性专利技术，主导光传输网络市场；欧洲以意法半导体、爱立信为代表，通过产学研合作推进薄膜铌酸锂与硅光技术的异质集成，布局下一代集成光子学芯片。
国际巨头正凭借薄膜沉积、微纳加工等核心工艺，构筑了从材料到器件的垂直技术壁垒。然而，随着数据流量年均增长超25%，400G/800G光模块需求激增，传统硅基调制器的带宽瓶颈日益凸显，薄膜铌酸锂调制器凭借超高带宽、低功耗等特性，成为高速光互连的刚需选择，这也为后发企业打开了替代窗口。
在此背景下，中国厂商以国产替代为战略主线加速破局。铌奥光电的融资案例，正是这一进程的缩影——其自主开发的调制器性能已比肩国际水平，且通过量产能力验证，打破了海外企业对高端器件的垄断。
据悉，铌奥光电已成功开发出具有超大调制带宽(>110GHz)、超低驱动电压(<1V)以及小尺寸（平方毫米量级）的薄膜铌酸锂电光调制器，并以其为核心构建多种高端光芯片。经过过去四年多的努力，其在薄膜铌酸锂光芯片领域已建立了包括芯片设计、制造和封装在内的全栈技术壁垒。
与此同时，该产业链上下游协同效应逐步显现：头部企业中际旭创、光迅科技通过自研突破封装技术，实现400G光模块批量交付；华为海思借收购英国CIP团队补足芯片设计能力，800G方案进入验证阶段；而铌奥光电等初创企业则瞄准激光雷达、光计算等细分场景，以差异化路径切入市场。
政策端，“十四五”规划将光子芯片列为战略领域，北京、武汉等地光子产业园的集群化布局进一步加速技术转化效率。但挑战依然存在：上游铌酸锂晶圆70%以上依赖日本信越化学，薄膜沉积设备受制于德国爱思强，关键材料与设备的“卡脖子”问题仍是国产化进程的最大掣肘。
未来五年薄膜铌酸锂光芯片将迎来战略机遇期，这一市场竞争的核心将转向全产业链整合能力。一方面，中游厂商与下游光模块企业（如旭创、新易盛）通过联合开发优化调制器-模块适配性，降低系统功耗；另一方面，以铌奥光电为代表的头部企业加速向上游延伸，试图构建“材料-器件-系统”的技术闭环。
随着中国在数据中心、5G等市场的规模优势持续扩大，叠加政策与资本的双重赋能，以铌奥光电为标杆的国产势力有望冲刺实现中高端市场的规模化替代。